采用面朝下系統(tǒng)的高性能單晶圓大氣壓CVD系統(tǒng)
A200V型
膜厚均勻度在±2%以內(nèi)
粒子生成抑制
緊湊的設(shè)備配置
良好的步進(jìn)覆蓋率
適用于低溫工藝
提高可維護(hù)性
提高安全性
特征
在這種方法中，晶圓在封閉的腔室中加熱，同時保持晶圓，上部卡盤朝向下部，工藝氣體從底部的分散頭吹起以形成薄膜。 卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性，并提供了出色的膜厚均勻性，同時防止氣體纏繞在晶圓底部，防止背面沉積，并防止顆粒粘附在晶圓上并進(jìn)入腔室。
設(shè)備尺寸已盡可能緊湊，以最大限度地減少占地面積。
使用密閉腔室可避免氣體泄漏的發(fā)生，提高工人的安全性。
性能
| 涂層厚度均勻性 | ≦±2% |
|---|---|
| 支持的晶圓尺寸 | ≦8寸 |
| 氣體種類 | SiH4、O2、PH3、B2H6、N2（TEOS、TEB、TMOP、O3可選） |
| 沉積溫度 | 300°C~450°C |
| 生產(chǎn)力 | 20 張/小時（500 nm 沉積時） |
主要技術(shù)指標(biāo)
| 設(shè)備尺寸 | 890mm（寬） x 2300mm（深） x 2250mm（高） |
|---|---|
| 加熱機(jī)制 | 電阻加熱 |
| 裝卸 | 雙滑塊，機(jī)器人CtoC運(yùn)輸 |
| 分散頭（氣體噴嘴） | 圈 |