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    日本AMAYA天谷制作所 常壓CVD半導(dǎo)體晶圓設(shè)備D501
    
                                                          
    靈活的常壓CVD系統(tǒng)，適用于小規(guī)模生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)D501型間歇式常壓CVD系統(tǒng)，用于將多個(gè)晶圓裝入一個(gè)大托盤(pán)中日本AMAYA天谷制作所 常壓CVD半導(dǎo)體晶圓設(shè)備D501特征這是一種間歇式常壓CVD系統(tǒng)，其中將多個(gè)晶圓裝入一個(gè)大托盤(pán)中，托盤(pán)在分散頭下來(lái)回移動(dòng)以形成薄膜?？梢蕴幚聿灰?guī)則的基材。它具有緊湊的設(shè)備尺寸和較小的占用空間。性能涂層厚度均勻性取決于膜類型和厚度支持的晶圓尺寸符合可加熱區(qū)氣體種類SiH
    
                                                                                                                                                  
                        
    
                
    
            
    
        
    
    
    
    
    
        
    
            
    

                  
                
    
                                        
    
                        
    
                            
                            
    

                                        
                                
    
                                    
    產(chǎn)品信息
    靈活的常壓CVD系統(tǒng)，適用于小規(guī)模生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)
    D501型
    • 間歇式常壓CVD系統(tǒng)，用于將多個(gè)晶圓裝入一個(gè)大托盤(pán)中
    圖片關(guān)鍵詞
    日本AMAYA天谷制作所 常壓CVD半導(dǎo)體晶圓設(shè)備D501
    特征
    • 這是一種間歇式常壓CVD系統(tǒng)，其中將多個(gè)晶圓裝入一個(gè)大托盤(pán)中，托盤(pán)在分散頭下來(lái)回移動(dòng)以形成薄膜。
    • 可以處理不規(guī)則的基材。
    • 它具有緊湊的設(shè)備尺寸和較小的占用空間。
    性能
    涂層厚度均勻性取決于膜類型和厚度
    支持的晶圓尺寸符合可加熱區(qū)
    氣體種類SiH4、O2、PH3、B2H6、N2（TEOS、TEB、TMOP、O3、TMA可選）
    沉積溫度350°C~450°C
    生產(chǎn)力-
    主要技術(shù)指標(biāo)
    設(shè)備尺寸1200mm（寬） x 2480mm（深） x 1940mm（高）
    加熱機(jī)制電阻加熱
    裝卸手動(dòng)方式
    分散頭（氣體噴嘴）A63 頭