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用于FPD等剛性/柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設(shè)備低溫（150~300°C）處理形成高質(zhì)量的SiO2薄膜：低應(yīng)力、無等離子體損傷、小顆粒降低安裝和維護(hù)成本占地面積小，無需真空或等離子處理價(jià)格低廉日本AMAYA天谷 柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設(shè)備特征這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng)，支持FPD等剛性/柔性器件。配備兩個(gè)氣頭，有效沉積寬度為760mm，采用吸附加熱階段，溫度可控
用于FPD等剛性/柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)
低溫（150~300°C）處理
形成高質(zhì)量的SiO2薄膜：
低應(yīng)力、無等離子體損傷、小顆粒
降低安裝和維護(hù)成本占地面積小
，無需真空或等離子處理
價(jià)格低廉
日本AMAYA天谷 柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設(shè)備
這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng)，支持FPD等剛性/柔性器件。
配備兩個(gè)氣頭，有效沉積寬度為760mm，采用吸附加熱階段，溫度可控性±2%以內(nèi)。
可以在4°C的5.250代玻璃基板上以100片/小時(shí)以上的產(chǎn)量形成2nm的SiO25薄膜，并且可以確保薄膜厚度均勻性在10%以內(nèi)。
| 涂層厚度均勻性 | ±10% |
|---|---|
| 支持的玻璃基板尺寸 | 4.5 生成 |
| 氣體種類 | SiH4，O 3， PH3， B2H6 |
| 沉積溫度 | 150~300°C |
| 設(shè)備尺寸 | 1300mm（寬） x 7350mm（深） x 2000mm（高） |
|---|---|
| 氣頭 | 配備兩個(gè)氣頭，有效沉積寬度為 760 mm |