日本AMAYA天谷制作所株式會社
半導(dǎo)體單晶圓器A200V
采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置
A200V
薄膜厚度均勻度在±2%以內(nèi)
抑制粒子生成
緊湊的設(shè)備配置
良好的階躍覆蓋率
低溫工藝支持
提高可維護性
提高安全性
特征
在這種方法中，晶圓沉積表面被上卡盤夾住，晶圓朝向底部，工藝氣體從底部的分散頭吹出形成薄膜。 卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性，并提供出色的厚度均勻性，同時防止氣體包圍晶圓背面，防止背面沉積并防止顆粒粘附在晶圓上并進入腔室。
設(shè)備尺寸已盡可能緊湊，以最大程度地減少占用空間。
使用封閉腔室可消除氣體泄漏并提高操作員的安全性。
性能
| 均勻的薄膜厚度 | ≦±2% |
|---|---|
| 支持的晶圓尺寸 | ≦8英寸 |
| 氣體種類 | SiH4， O 2， PH 3， B 2 H6， N 2（TEOS， TEB， TMOP，O3可選） |
| 薄膜沉積溫度 | 300°C~450°C |
| 生產(chǎn)力 | 20張/小時（500nm成膜） |
主要規(guī)格
| 設(shè)備尺寸 | 890毫米（寬） x 2300毫米（深） x 2250毫米（高） |
|---|---|
| 加熱機構(gòu) | 電阻加熱 |
| 裝載卸載 | 雙滑塊，機器人CtoC運輸 |
| 分散頭（氣體噴嘴） | 圈 |